本發(fā)明公開硅納米線—氧化鎢納米線刷狀多級結(jié)構(gòu)及其制備方法和在探測二氧化氮中的應用,使用金屬輔助化學刻蝕法刻蝕單晶硅以形成硅納米線陣列,再進行稀疏粗糙化處理后進行沉積鎢薄膜材料層,升溫以生長一維氧化鎢納米線,最后進行鉑電極制備。本發(fā)明的硅納米線/氧化鎢納米線復合異質(zhì)多級結(jié)構(gòu)氣敏敏感元件在室溫下工作,且對二氧化氮具有很好的響應,在氣體傳感器與集成電路工藝兼容,延長傳感器壽命,節(jié)約能耗,以及危險氣體檢測方面具有很重要的研究價值。
聲明:
“硅納米線—氧化鎢納米線刷狀多級結(jié)構(gòu)及其制備方法和在探測二氧化氮中的應用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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