本申請公開了一種圖案化有機半導(dǎo)體的制備方法及形變拉伸測試方法,通過制備圖案化硅柱以及鍍銅膜的硅片;對所述圖案化硅柱側(cè)壁化學(xué)修飾,使所述圖案化硅柱達到側(cè)壁疏水頂端親水狀態(tài);退浸潤過程發(fā)生,毛細液橋自組織裝使圖案化微納陣列結(jié)構(gòu)生長在銅膜上;利用化學(xué)反應(yīng)去除所述銅膜,將圖案轉(zhuǎn)移到柔性襯底上,獲得圖案化有機半導(dǎo)體。利用毛細液橋制備的圖案化陣列高質(zhì)量且長程有序,并且這種轉(zhuǎn)移方法操作簡單,在柔性襯底上具有優(yōu)異的拉伸形變,為可穿戴領(lǐng)域的發(fā)展提供了新的應(yīng)用前景。
聲明:
“圖案化有機半導(dǎo)體的制備方法及形變拉伸測試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)