本發(fā)明涉及一種應用
石墨烯電極在GaN自支撐襯底上制備AlGaN肖特基日盲紫外探測器的方法,其中制作方法包括:先通過氫化物化學氣相制備自支撐襯底GaN,在GaN自支撐襯底上依次沉積N型重摻雜高Al組分的AlGaN層、N型輕摻雜高Al組分的AlGaN層。然后在結構背面,通過電子束蒸發(fā)制作歐姆接觸的背電極,在N型輕摻雜AlGaN層上制備石墨烯肖特基接觸,并且用剝離技術制作圓形圖案。最后在整個結構頂部沉積一層鈍化層,并刻蝕部分鈍化層至石墨烯肖特基接觸表面,然后沉積金屬蓋帽層。本發(fā)明兼顧目前的工藝生產(chǎn)流程,將高阻率的GaN作為自支撐襯底,實現(xiàn)了兩個接觸制作在襯底不同側,減小了開啟電壓,并且將石墨烯用作肖特基接觸,進一步提高紫外透過率,提高日盲紫外探測器性能,以用于探測微弱信號的紫外光線。
聲明:
“應用石墨烯電極在GaN自支撐襯底上制備AlGaN肖特基日盲紫外探測器的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)