本發(fā)明公開了一種具有表面增強拉曼散射效應(yīng)的活性基底,同時還公開了該活性基底的制備方法和應(yīng)用。該活性基底的制備方法為:P型單晶硅片首先通過水熱腐蝕得到硅納米孔柱陣列,然后在硅納米孔柱陣列表面進行化學(xué)氣相沉積生長碳納米顆粒,制得碳納米顆粒膜/硅納米孔柱陣列活性基底。采用該碳納米顆粒膜/硅納米孔柱陣列作為具有表面增強拉曼散射效應(yīng)的活性基底可檢測到濃度為10-6mol/L的若丹明6G分子,該活性基底具有極強的拉曼增強效應(yīng)。
聲明:
“具有表面增強拉曼散射效應(yīng)的活性基底及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)