本發(fā)明公開了一種氮、硼共摻雜
石墨烯復合薄膜及其制備方法,屬于透明導電薄膜材料領域。提供的氮、硼共摻雜石墨烯復合薄膜的制備方法包括在CVD法制備石墨烯薄膜時第一次摻雜適量氮硼和在將氮、硼共摻雜石墨烯引入目標基體時的第二次摻雜過程,兩次摻雜工藝簡單,摻雜劑摻雜穩(wěn)定,使得制備得到的氮、硼共摻雜石墨烯復合薄膜不僅具有較小的厚度,還具有較低的方阻,可以直接應用于高性能
復合材料、柔性顯示與柔性電子器件、
電化學儲能、光電檢測與傳感器等領域。
聲明:
“氮、硼共摻雜石墨烯復合薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)