一種淺溝槽隔離臺(tái)階高度的控制方法,包括:提供同批次的半導(dǎo)體晶圓,所述半導(dǎo)體晶圓上包括待化學(xué)機(jī)械研磨的淺溝槽隔離區(qū)域以及有源區(qū),確定目標(biāo)臺(tái)階高度的值;對(duì)上述半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨;至少選取一片半導(dǎo)體晶圓,測量其實(shí)際臺(tái)階高度值;獲取臺(tái)階高度修正值;建立臺(tái)階高度修正值與酸洗時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系;根據(jù)上述對(duì)應(yīng)關(guān)系,調(diào)整該批次半導(dǎo)體晶圓的酸洗時(shí)間,并對(duì)剩余半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行酸洗,使得淺溝槽隔離區(qū)域中,實(shí)際臺(tái)階高度與目標(biāo)臺(tái)階高度相符。本發(fā)明利用酸洗過程中,酸劑的選擇性刻蝕作用,調(diào)整酸洗的時(shí)間修正臺(tái)階高度,無需變更化學(xué)機(jī)械研磨的參數(shù)以及增加額外的工序,滿足臺(tái)階高度的一致性要求。
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