本發(fā)明涉及一種辨別碳化硅晶片硅碳面的方法,其特征在于,包括以下步驟:將機(jī)械精拋后的碳化硅晶片進(jìn)行化學(xué)拋光;將化學(xué)拋光后的碳化硅晶片用原子力顯微鏡測(cè)試其表面,在原子力顯微鏡上顯示出所測(cè)試表面的粗糙度數(shù)值;若顯示出的粗糙度數(shù)值在0.10~0.50nm之間,則所測(cè)試的表面為硅面;若顯示出的粗糙度在0.80~3.00nm之間,則所測(cè)試的表面為碳面。本發(fā)明的特點(diǎn)是既不多加工序也不損傷晶片,即大大的降低成本、提高制片效率,且操作簡(jiǎn)單安全;同時(shí)能省去一個(gè)定位邊,不但能減少再生長(zhǎng)得到的晶體缺陷,提高晶體品質(zhì),而且與第一代半導(dǎo)體硅單晶片幾何尺寸標(biāo)準(zhǔn)相匹配。
聲明:
“辨別碳化硅晶片硅碳面的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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