一種多晶化學(xué)氣相沉積(CVD)金剛石晶片包括:等于或大于125mm的最大線性尺寸;等于或大于200μm的厚度;以及在室溫下(標(biāo)稱298K)在多晶CVD金剛石晶片的至少中心區(qū)域上測(cè)量的以下特性中的一個(gè)或兩個(gè),所述中心區(qū)域是圓形的,以多晶CVD金剛石晶片的中心點(diǎn)為中心,并且所述中心區(qū)域的直徑是多晶CVD金剛石晶片的最大線性尺寸的至少70%:在10.6μm處,吸收系數(shù)≤0.2cm-1;以及在145GHz時(shí)介電損耗系數(shù)為tanδ≤2×10-4。
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“大面積的光學(xué)性能合成多晶金剛石窗口” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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