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       > 具有納米結構的非晶氧化物半導體薄膜及其制備方法
      
		
      
	
      

	
      
		
      
			
      
				
      
					
      具有納米結構的非晶氧化物半導體薄膜及其制備方法
      
					
      
					     1056  
					    編輯：管理員  
						來源：中冶有色技術網(wǎng)  
						
      
							2023-03-19 08:17:30						
      
					
      
				
      
				
      
				    本發(fā)明公開了一種具有納米結構的非晶氧化物半導體薄膜，該薄膜包括連續(xù)薄膜層和納米結構層，連續(xù)薄膜層直接生長在襯底上；納米結構層為連續(xù)薄膜層的縱向自然延伸，呈現(xiàn)間隔分布的凸起峰和凹陷坑。該薄膜為非晶氧化物半導體ZnTiSnO薄膜。本發(fā)明還公開了該薄膜的制備方法，采用溶液化學方法，步驟包括將Zn(NO3)2·6H2O、SnCl2·2H2O+NH4NO3及C12H28O4Ti+NH4NO3分別溶解于二甲氧基乙醇溶劑中，分別加入乙酰丙酮、氨水溶液配成前驅體溶液，配得溶膠，然后旋涂于襯底上，并退火處理。該非晶氧化物半導體薄膜因為具有納米結構，具有大的比表面積，有望應用于生物傳感、氣敏、紫外探測等領域。				    
      
				        
      聲明：
      
				        
      
				         “具有納米結構的非晶氧化物半導體薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
				        
      
				        
      
				        我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
				        
      
				    
      
				
      
				
				
      
					
      
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      標簽：
      
					 
					化學分析
									
      
				
				
				
				
								
								
				
				
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