一種半導體
芯片,包含至少一物理層,通過將位于需要進行化學機械拋光的物理層表面的量測結(jié)構(gòu)側(cè)壁制備成傾斜狀,使其剖面呈梯形,來降低化學機械拋光過程中缺陷顆粒在側(cè)壁處的沉積量和清洗難度。傾斜側(cè)壁的引入,使得清洗劑更容易進入到側(cè)壁缺陷顆粒沉積處發(fā)揮作用,且在清洗過程中缺陷顆粒受到豎直方向阻力較小,可更容易的順著傾斜的側(cè)壁被水流帶走或用毛刷刷走。該結(jié)構(gòu)簡單便利,不提高任何工藝從本,有效提高了晶圓表面清洗的質(zhì)量,徹底清除化學機械拋光殘留的缺陷顆粒,提高后續(xù)光刻等工藝的精度,使器件結(jié)構(gòu)的尺寸精度及器件性能均得到更好的保障。
聲明:
“半導體芯片” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)