本發(fā)明公開一種五氧化二釩原位包覆NCM111三元
正極材料的制備方法,該方法用V2O5對NCM111材料(V2O5占NCM111材料的質(zhì)量百分比為1%)進行包覆,從而制備得到顆粒尺寸均勻,顆粒間更為緊密,顆粒更大,形貌結(jié)構(gòu)良好,
電化學性能優(yōu)越的NCM111三元正極材料。包覆后的材料的循環(huán)性能,倍率性能,阻抗以及充放電測試中均得到優(yōu)化,包覆后的材料呈現(xiàn)出極佳的電化學性能,首次放電量達到201.516mAh/g(0.5C倍率下),容量保持率高,具備最佳的循環(huán)穩(wěn)定性與倍率性能,充分展現(xiàn)出優(yōu)越的電化學性能。
聲明:
“五氧化二釩原位包覆NCM111三元正極材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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