本發(fā)明公開了一種改進(jìn)的可控硅結(jié)構(gòu),包括臺(tái)面槽、穿通環(huán)、長基區(qū)、正面短基區(qū)、背面短基區(qū)、陰極區(qū)和門極區(qū),其特征在于:陰極區(qū)和門極區(qū)之間開有陰極門極間槽,陰極門極間槽內(nèi)填充有玻璃粉。生產(chǎn)上述可控硅結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝,包括雙面拋光片步驟、氧化步驟、光刻穿通、穿通擴(kuò)散、短基區(qū)擴(kuò)散、光刻陰極、陰極擴(kuò)散、光刻臺(tái)面槽、化學(xué)腐蝕臺(tái)面槽、光刻引線孔、正面蒸鋁、鋁反刻、
鋁合金、背面噴砂、背面金屬化、
芯片測(cè)試、劃片包裝步驟,在化學(xué)腐蝕臺(tái)面槽和光刻引線步驟之間增加了光刻陰極門極間槽步驟、化學(xué)腐蝕陰極門極間槽步驟和玻璃鈍化步驟。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:耐壓高,漏電低,也不存在反型條件和表面燒毀現(xiàn)象,大大提高了可控硅的可靠性。
聲明:
“改進(jìn)的可控硅結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)