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      黃曲霉毒素B1金納米井陣列免疫電極的制備方法

      987   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
      2023-03-19 08:23:03
      本發(fā)明涉及一種黃曲霉毒素B1金納米井陣列免疫電極的制備方法,其采用化學(xué)沉積法在??字睆綖?00?800nm的聚碳酸酯濾膜上沉積金,得到金納米管陣列主體,在??字睆綖?0?200nm的聚碳酸酯濾膜上沉積金,得到金納米柱陣列底片,組裝制成金納米井陣列電極;在金納米管陣列電極表面滴加蛋白A溶液形成蛋白A/金納米井陣列電極;而后放入無標(biāo)記AFB1抗體溶液中,制成AFB1抗體/蛋白A/金納米井陣列電極;進而封閉得到AFB1免疫反應(yīng)電極。本發(fā)明制作簡單,具有三維結(jié)構(gòu),表面積大,有效避免不同材質(zhì)導(dǎo)致的電化學(xué)響應(yīng)信號的干擾;抗體固定牢固有效,性能穩(wěn)定可靠,可實現(xiàn)AFB1的靈敏快速測定。
      聲明:
      “黃曲霉毒素B1金納米井陣列免疫電極的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
      我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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