本發(fā)明涉及氧化亞銅電沉積在氧化鈦納米片陣列薄膜上的
復(fù)合材料的制備方法。該方法包括:將乙酸銅、去離子水置于反應(yīng)容器中攪拌,再向反應(yīng)容器中加入乙酸鈉,并將反應(yīng)容器移至水浴中繼續(xù)攪拌得到電解質(zhì)溶液;將氧化鈦納米片陣列薄膜作為電沉積過程中的工作電極,在所得電解質(zhì)溶液中進行電沉積過程得到Cu2O/TiO2納米片陣列薄膜復(fù)合材料。通過本發(fā)明方法氧化亞銅被成功沉積在氧化鈦納米片陣列薄膜的表面,得到Cu2O/TiO2納米片陣列薄膜復(fù)合材料,該材料經(jīng)測試光電流是未沉積氧化亞銅樣品的7.1倍,具有很高的光
電化學(xué)增強效應(yīng),在
太陽能電池、環(huán)境催化凈化、光電化學(xué)能儲方面具有潛在應(yīng)用價值。
聲明:
“氧化亞銅電沉積在氧化鈦納米片陣列薄膜上的復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)