本發(fā)明公開了一種中等孔徑多孔硅基氧化鋅薄膜
復(fù)合材料氣敏傳感器及其制備方法和應(yīng)用,由中等孔徑多孔硅基底、Pt膜電極、中等孔徑多孔硅基氧化鋅敏感層和Pt電極組成,所述的中等孔徑多孔硅基氧化鋅敏感層由中等孔徑多孔硅層和恒電位
電化學(xué)沉積在其上的氧化鋅薄膜組成。本發(fā)明通過在中等孔徑多孔硅基底制備歐姆接觸電極,然后利用電化學(xué)法在中等孔徑多孔硅上原位生長ZnO薄膜的方法較為簡單,所需控制的工藝條件較少,成本低廉;構(gòu)造n?n型異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),可在室溫下探測低濃度二氧化氮?dú)怏w,具有靈敏度較高、響應(yīng)/恢復(fù)性能較好、選擇性和重復(fù)性好的特點(diǎn)。
聲明:
“中等孔徑多孔硅基氧化鋅薄膜復(fù)合材料氣敏傳感器及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)