MgxZn1-xO薄膜的雙靶射頻磁控共濺射制備方法屬于光電
功能材料制造技術(shù)領(lǐng)域。已知技術(shù)需要根據(jù)所需制備的MgxZn1-xO薄膜的不同,分別制作對(duì)應(yīng)x值的MgxZn1-xO陶瓷靶材,制作工作量大,靶材不一定完全消耗,產(chǎn)生浪費(fèi),所制備的MgxZn1-xO薄膜化學(xué)計(jì)量比偏離MgxZn1-xO陶瓷靶材的化學(xué)計(jì)量比。本發(fā)明采用雙靶共濺射制備方式,即在兩個(gè)濺射靶上分別固定ZnO陶瓷靶材和MgO陶瓷靶材,分別提供濺射功率,同時(shí)分別濺射,在襯底上生長(zhǎng)MgxZn1-xO薄膜。本發(fā)明可應(yīng)用于制備具有紫外探測(cè)、可見(jiàn)及紫外光發(fā)射作用的半導(dǎo)體光電功能材料MgxZn1-xO薄膜。
聲明:
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