本發(fā)明的目的在于提供一種可控垂直硒化鉍納米片薄膜,所述薄膜由垂直于基體的Bi2Se3納米片組成,納米片尺寸為50納米~50微米。本發(fā)明采用化學氣相沉積法制備Bi2Se3薄膜,該方法能夠可控的制備出高質(zhì)量的具有明顯光電響應的薄膜,測試發(fā)現(xiàn)該薄膜具有N型導電特性,可以和P型硅基片形成N型薄膜/P型硅片的雙層結(jié)構(gòu),具有明顯的可見光和近紅外光電響應能力和較快光電響應時間,尤其在近紅外波段具有強的光響應能力,具有良好的電探測應用前景。
聲明:
“可控垂直硒化鉍納米片薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)