本發(fā)明公開(kāi)了高硼組分二維III族多元氮化物混合晶體及其制備方法。該方法為低壓化學(xué)氣相沉積方法,設(shè)置級(jí)聯(lián)式遞進(jìn)三溫區(qū)結(jié)構(gòu),并于中段梯度溫區(qū)進(jìn)行加速混晶分子的氣相預(yù)替位,實(shí)現(xiàn)高效可控二維混晶。本發(fā)明制備的高硼組分二維III族多元氮化物混合晶體表面平整性好,用于器件結(jié)構(gòu)中的層間匹配度高,混合晶體中的硼組分高;可作為優(yōu)良襯底用于制備高質(zhì)量InAlGaN等多元氮化物半導(dǎo)體,制備性能優(yōu)良的中子探測(cè)器、深紫外LED、深紫外探測(cè)器;可廣泛應(yīng)用于紫外固化光源、紫外光通信、紫外空氣凈化、紫外醫(yī)療、紫外水凈化、紫外光解油煙等領(lǐng)域。
聲明:
“高硼組分二維III族多元氮化物混合晶體及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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