本發(fā)明涉及電介質(zhì)
儲(chǔ)能材料,特別涉及一種高儲(chǔ)能高溫穩(wěn)定性的微晶玻璃介質(zhì)材料及其制備方法,制備的微晶玻璃介質(zhì)材料的化學(xué)組分為:x(A4X2Z4Nb10O30)?y(aP2O5?bB2O3?cAl2O3)?zMmOn;所得的微晶玻璃材料的實(shí)測(cè)放電儲(chǔ)能密度可達(dá)7.36J/cm3@1100kV/cm,峰值功率密度可達(dá)2282MW/cm3;在400kV/cm的場(chǎng)強(qiáng)下,其場(chǎng)致應(yīng)變?yōu)?,實(shí)測(cè)放電儲(chǔ)能密度1.00?1.50J/cm3,在25?100℃的溫度區(qū)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)至少300圈充放電循環(huán),而性能沒有劣化;同時(shí)玻璃組成中無鉛,達(dá)到了環(huán)保的目的。
聲明:
“高儲(chǔ)能高溫穩(wěn)定性的微晶玻璃介質(zhì)材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)