本發(fā)明公開一種降低半導體設備工藝腔室內(nèi)金屬污染的方法,該包括在工藝腔室的內(nèi)壁形成介質(zhì)層的步驟,其中形成介質(zhì)層的步驟包括:向工藝腔室中通入第一氣體和第二氣體,并使第一氣體和第二氣體電離形成等離子體并發(fā)生化學反應,以在工藝腔室的內(nèi)壁上沉積形成不含金屬元素的介質(zhì)層。本發(fā)明在工藝腔室的內(nèi)壁形成介質(zhì)層,從而起到保護晶圓的作用,使其不會被金屬所污染,從而保證了金屬污染測試的通過率,進而節(jié)省大量的機臺閑置時間,提高機臺產(chǎn)能,增加了晶圓上
芯片元器件的可靠性,提升器件良率。
聲明:
“降低半導體設備工藝腔室內(nèi)金屬污染的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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