本發(fā)明公開了一種雙層PNZST
鈣鈦礦反鐵電薄膜及其制備方法,該反鐵電薄膜包括化學(xué)通式為Pb
0.99Nb
0.02(Zr
0.55Sn
0.40Ti
0.05)
0.98O
3(簡(jiǎn)寫為PNZST)的材料;本發(fā)明設(shè)計(jì)了一種合適的射頻磁控濺射方法來提高薄膜的
儲(chǔ)能性能,在該方法中對(duì)同一種PNZST材料采用不同射頻磁控濺射工藝以分段式以及分層式的方式原位制備雙層薄膜,測(cè)試結(jié)果表明通過合適的濺射工藝所制備的鈣鈦礦PNZST反鐵電雙層異質(zhì)結(jié)構(gòu)薄膜,與其他單層反鐵電PNZST薄膜相比,此種工藝下所制備的雙層PNZST薄膜具有更高的介電常數(shù)以及擊穿場(chǎng)強(qiáng),這有利于獲得較高的儲(chǔ)能密度以及較高的儲(chǔ)能效率;雙層反鐵電PNZST薄膜其儲(chǔ)能密度值高達(dá)39.35J/cm
3,該值為單層反鐵電PNZST薄膜儲(chǔ)能密度值的1.43倍。
聲明:
“雙層PNZST鈣鈦礦反鐵電薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)