本發(fā)明涉及一種基于少層二維
半導(dǎo)體材料形成布拉格激子極化激元的方法,包括如下步驟:(1)采用高真空電子束蒸鍍技術(shù)在Si襯底表面交替沉積一定對數(shù)的折射率不同的介質(zhì)膜材料,形成分布式布拉格反射鏡,構(gòu)造平板半微腔;(2)采用機(jī)械剝離或是化學(xué)氣相沉積法將少層二維半導(dǎo)體材料制備在平板半微腔上;(3)在合適的激發(fā)光源作用下便可以形成激子極化激元。本發(fā)明大幅簡化了傳統(tǒng)的諧振腔或增益介質(zhì)的多重插入式結(jié)構(gòu)設(shè)計,在少層二維半導(dǎo)體材料表面形成激子極化激元,使得激子極化激元更容易觀測和調(diào)控,有利于實(shí)用型二維半導(dǎo)激子極化激元器件的開發(fā)及應(yīng)用。
聲明:
“基于少層二維半導(dǎo)體材料形成布拉格激子極化激元的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)