本發(fā)明公開了一種利用等離子體增強(qiáng)原子層沉積可控制備不同氧含量SiON薄膜的方法。本發(fā)明利用等離子體增強(qiáng)原子層沉積PEALD制備技術(shù),通過使用前驅(qū)體四(二甲氨基)
硅烷作為硅源,N
2與O
2等離子體作為氮源和氧源。將其同時(shí)通入反應(yīng)腔體,通過調(diào)控N
2與O
2反應(yīng)氣體的流量比,在基底上實(shí)現(xiàn)氧含量精確可控的高質(zhì)量SiON薄膜生長(zhǎng)。相比其他傳統(tǒng)的物理或化學(xué)鍍膜方法,本發(fā)明制備方法生長(zhǎng)溫度低、簡(jiǎn)易高效,不僅可以實(shí)現(xiàn)SiON薄膜中氧氮含量的精確調(diào)控,而且可以達(dá)到生長(zhǎng)的薄膜厚度原子量級(jí)可控和大面積的均勻性。本發(fā)明制備的氧含量可調(diào)控的SiON薄膜在傳感器、光電探測(cè)、微電子器件等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
聲明:
“利用等離子體增強(qiáng)原子層沉積可控制備不同氧含量的SiON薄膜的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)