一種降低氫終端金剛石歐姆接觸電阻的方法,屬于金剛石電子器件領(lǐng)域。本發(fā)明采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積,以甲烷、氫氣為反應(yīng)氣體,在單晶金剛石襯底上外延一層金剛石薄膜,隨后在氫等離子體氛圍中處理,使金剛石表面形成氫終端,之后放置于大氣環(huán)境中。然后根據(jù)線性傳輸模型,進行光刻工藝,調(diào)節(jié)飛秒激光器,使激光聚焦在樣品表面以下1μm范圍內(nèi),調(diào)整激光照射功率、頻率范圍、掃描周期,在氫終端金剛石亞表層產(chǎn)生石墨相。最后采用電子束蒸鍍、熱蒸鍍或磁控濺射制備金屬電極,之后進行快速退火處理,最終制得測試所需的歐姆電極圖案。本發(fā)明方法結(jié)合了石墨的高電導(dǎo)性來降低金屬與金剛石間的接觸電阻,從而改善了金剛石基電子器件的歐姆接觸特性。
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