本發(fā)明提供了一種形成多孔介電膜的方法,該方法包括:在襯底的至少一部分上形成包括Si、C、O、H和Si-CH3基團(tuán)的復(fù)合膜,其中所述復(fù)合膜包括至少一種含硅的結(jié)構(gòu)形成材料和至少一種含碳的成孔材料;并將所述復(fù)合膜暴露于活化的化學(xué)物質(zhì),從而至少部分地改性所述含碳成孔材料,其中在暴露步驟后通過FTIR測定,在如此沉積的膜中至少90%的Si-CH3物質(zhì)保留在所述膜中。
聲明:
“在還原氣氛下固化介電膜” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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