本發(fā)明公開了一種在一些介電或半導(dǎo)體基材上直接制備高品質(zhì)三維
石墨烯的方法。該方法不需要外加催化劑,且同時兼具制備時間短、成本低廉等特點。在生產(chǎn)中可以通過使用不同類型的設(shè)備實現(xiàn)該方法,如等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)等。將由該方法制得的三維石墨烯具有較高品質(zhì),且因其具有超大表面積,可作為超級電容器或電容性分子探測器的理想材料。
聲明:
“三維石墨烯之直接制備方法及其在超級電容器上之應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)