本發(fā)明公開了一種多層介質(zhì)光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)及其制造方法,該方法采用在硅襯底上通過控制SiOxN中O原子的比例以形成不同應(yīng)力和折射率的光學(xué)薄膜,然后交替形成多層低殘余應(yīng)力的光學(xué)薄膜,再通過等離子體刻蝕技術(shù)在其上刻蝕出光波導(dǎo),然后基于化學(xué)氣相沉積技術(shù)沉積低折射率光學(xué)薄膜作為上包層,進(jìn)而得到多層介質(zhì)光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明具有工藝簡(jiǎn)單,無需高溫退火的優(yōu)點(diǎn),且多層介質(zhì)薄膜折射率可調(diào)范圍大,介于二氧化硅SiO2和氮化硅Si3N4之間,可靈活設(shè)計(jì)光波導(dǎo)的折射率,以實(shí)現(xiàn)與Ⅲ?Ⅴ族激光器、光調(diào)制器、光探測(cè)器等器件的混合/異構(gòu)集成,且傳輸損耗低,與激光器、標(biāo)準(zhǔn)單模光纖的耦合效率高、損耗小,便于與其他光子
芯片集成。
聲明:
“多層介質(zhì)光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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