本發(fā)明涉及一種薄膜
太陽(yáng)能電池片的制備方法,包括以下步驟:在ITO導(dǎo)電玻璃電片上用紅激光刻線,制造子電池;在刻線后的ITO導(dǎo)電玻璃電片上制備PIN電池膜層;在PIN電池膜層上化學(xué)氣相法沉積
石墨烯膜層;在石墨烯膜層上進(jìn)行第二次刻線;在刻線后的石墨烯膜層上依次沉積鋁、銅鎳膜;然后在銅鎳膜層上粘覆EVA保護(hù)膜;采用激光打標(biāo),清除打標(biāo)區(qū)域的EVA保護(hù)膜,并在打標(biāo)區(qū)域加錫引出正負(fù)極焊點(diǎn),經(jīng)切割和測(cè)試,即得。本發(fā)明制備的薄膜太陽(yáng)能
電池片中利用石墨烯代替目前常用的ZnO層,具有透光率和反射率高的優(yōu)點(diǎn),且安全無(wú)污染。且相比于目前的非晶薄膜太陽(yáng)能電池片,轉(zhuǎn)換效率提高到8~9%。
聲明:
“薄膜太陽(yáng)能電池片及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)