本發(fā)明提供在類金剛石材料上,利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備方式,在類金剛石表面進(jìn)行鍍膜。利用利用雙放電腔微波?ECR等離子體全方位注入設(shè)備,采用PECVD技術(shù)制備的DLC薄膜能夠達(dá)到對(duì)薄膜表面改性的目的。PECVD復(fù)合技術(shù)制備的Si/SiC/DLC梯度薄膜表面光滑致密,缺陷少,由尺寸均勻的納米顆粒組成。薄膜的RMS粗糙度較低,在1.5nm左右變化。利用表面輪廓儀測(cè)得梯度薄膜的厚度約為1.2±0.1μm,Si,SiC過(guò)渡層厚度大約分別為:80±10nm,100±10nm,150±10nm,200±10nm。
聲明:
“類金剛石薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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