久久看看永久视频,日日狠狠久久偷偷色,亚洲中文字幕在线网,午夜福利院中文字幕

  • <dfn id="vuqxj"><td id="vuqxj"></td></dfn>
  • <dfn id="vuqxj"></dfn>

    1. <div id="vuqxj"><option id="vuqxj"><b id="vuqxj"></b></option></div>
    2. 合肥金星智控科技股份有限公司
      宣傳

      位置:中冶有色 >

      有色技術(shù)頻道 >

      > 化學(xué)分析技術(shù)

      > 超低介電常數(shù)、低介電損耗聚酰亞胺薄膜的制備方法

      超低介電常數(shù)、低介電損耗聚酰亞胺薄膜的制備方法

      843   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
      2023-03-19 08:56:58
      本發(fā)明涉及超低介電常數(shù)、低介電損耗聚酰亞胺薄膜的制備方法,一種首先采用水解共縮合法與多步提純得到HBPSi,最終以化學(xué)鍵的形式將HBPSi結(jié)構(gòu)引入PI分子主鏈,實現(xiàn)了在分子水平上對PI材料的改性,顯著降低了PI材料的介電常數(shù),并較好的保持了PI材料固有的優(yōu)點。該PI薄膜介電性能優(yōu)異,耐熱性優(yōu)良,力學(xué)強度突出,吸水率低,表面平整度高,制備過程反應(yīng)條件溫和,研發(fā)成本較低,有利于大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。與目前普遍使用的Kapton標(biāo)準(zhǔn)膜相比,在同等測試條件下HBPSi-PI薄膜的介電常數(shù)降低了30%~40%,最低介電常數(shù)甚至接近2.0,達到超低介電常數(shù)的水平,能夠滿足未來微電子行業(yè)發(fā)展的迫切需求。
      聲明:
      “超低介電常數(shù)、低介電損耗聚酰亞胺薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
      我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
      分享 0
               
      舉報 0
      收藏 0
      反對 0
      點贊 0
      標(biāo)簽:
      化學(xué)分析
      全國熱門有色金屬技術(shù)推薦
      展開更多 +

       

      中冶有色技術(shù)平臺微信公眾號
      了解更多信息請您掃碼關(guān)注官方微信
      中冶有色技術(shù)平臺微信公眾號中冶有色技術(shù)平臺

      最新更新技術(shù)

      報名參會
      更多+

      報告下載

      第二屆中國微細粒礦物選礦技術(shù)大會
      推廣

      熱門技術(shù)
      更多+

      衡水宏運壓濾機有限公司
      宣傳
      環(huán)磨科技控股(集團)有限公司
      宣傳

      發(fā)布

      在線客服

      公眾號

      電話

      頂部
      咨詢電話:
      010-88793500-807
      專利人/作者信息登記