本發(fā)明涉及超低介電常數(shù)、低介電損耗聚酰亞胺薄膜的制備方法,一種首先采用水解共縮合法與多步提純得到HBPSi,最終以化學(xué)鍵的形式將HBPSi結(jié)構(gòu)引入PI分子主鏈,實現(xiàn)了在分子水平上對PI材料的改性,顯著降低了PI材料的介電常數(shù),并較好的保持了PI材料固有的優(yōu)點。該PI薄膜介電性能優(yōu)異,耐熱性優(yōu)良,力學(xué)強度突出,吸水率低,表面平整度高,制備過程反應(yīng)條件溫和,研發(fā)成本較低,有利于大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。與目前普遍使用的Kapton標(biāo)準(zhǔn)膜相比,在同等測試條件下HBPSi-PI薄膜的介電常數(shù)降低了30%~40%,最低介電常數(shù)甚至接近2.0,達到超低介電常數(shù)的水平,能夠滿足未來微電子行業(yè)發(fā)展的迫切需求。
聲明:
“超低介電常數(shù)、低介電損耗聚酰亞胺薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)