本發(fā)明公開了一種
納米材料及器件制備方法,特別是一種IIB-VIB族半導體/CdS納米p-n結的制備方法。本發(fā)明是在化學氣相沉積方法合成的磷摻雜p-型IIB-VIB族半導體納米線的基礎上,運用原子層沉積技術在p-型IIB-VIB族半導體納米線表層包裹生長CdS殼層。將IIB-VIB族半導體/CdS核殼結構,通過光刻和電子束鍍膜技術在所制備核殼結構的金電極和鈦電極,從而制備完成IIB-VIB族半導體/CdS核殼結構納米p-n結器件。本發(fā)明所制得的IIB-VIB族半導體/CdS核殼結構納米p-n結性能良好、可控性高,可大規(guī)模制備;可廣泛應用于
太陽能電池、光電探測等納米光電子領域。
聲明:
“IIB-VIB族半導體/CdS納米p-n結的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)