本申請(qǐng)涉及一種PN接面及其制備方法及用途,包含所述的PN接面的半導(dǎo)體薄膜組件(尤其是光電二極管組件)及包含所述的半導(dǎo)體薄膜組件的光電感測(cè)模塊及其廣泛用途。所述的PN接面包含P型銅銦鎵硒半導(dǎo)體薄膜層及N型銅銦鎵硒半導(dǎo)體薄膜層,所述的N型銅銦鎵硒半導(dǎo)體薄膜層由銅銦鎵硒等元素構(gòu)成,其中銅相較于銦的莫耳數(shù)比在1.1至1.5的范圍內(nèi)且具有化學(xué)式Cu(In
xGa
1?x)Se
2,其中x的數(shù)值在0.6至0.9的范圍內(nèi)。制備所述的PN接面的方法使用四元靶材、為干式制程、無(wú)須硒化處理且可將所述的PN接面制作于可撓性基板上。
聲明:
“PN接面及其制備方法及用途” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)