本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N含硅混陰離子非線性光學(xué)晶體,化學(xué)式為:Ba5Ga2SiO4S6,具有優(yōu)良的二階非線性光學(xué)性質(zhì),即在紅外波段能夠?qū)崿F(xiàn)相位匹配,具有寬的光學(xué)帶隙(如Eg=4.03eV),其粉末倍頻強(qiáng)度可達(dá)到商用材料AgGaS2的0.65倍,且其激光損傷閾值是AgGaS2晶體的17.5倍,很好地實(shí)現(xiàn)了大的二階倍頻系數(shù)和寬的光學(xué)帶隙的平衡,且制備方法簡(jiǎn)潔,在激光頻率轉(zhuǎn)換、近紅外探針、光折變信息處理等高科技領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用價(jià)值,尤其是用于紅外探測(cè)器和紅外激光器。
聲明:
“含硅混陰離子非線性光學(xué)晶體及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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