本發(fā)明涉及一種金和鐵摻雜的負溫度系數(shù)單晶硅熱敏電阻,該熱敏電阻以金和鐵的金屬鹽作為擴散源,采用開管涂源式高溫氣相擴散的方法,將金和鐵兩種雜質(zhì)擴散進N型單晶硅中,利用金和鐵在硅中形成補償能級的特性制備出單晶硅熱敏材料,再通過化學(xué)鍍鎳電極、劃片、封裝制備成高B值單晶硅負溫度系數(shù)熱敏電阻。將得到的熱敏電阻進行電學(xué)性能測試,其電學(xué)參數(shù)R25℃=84KΩ-129KΩ,B25℃/50℃=6240K-6680K。
聲明:
“金和鐵摻雜的負溫度系數(shù)單晶硅熱敏電阻” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)