本發(fā)明提供了一種溝槽器件的制作方法,進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光直至外延層與阻止層的表面齊平為止,然后測量獲得硅襯底上方的阻止層的實(shí)際厚度,并根據(jù)硅襯底上方的阻止層的實(shí)際厚度進(jìn)行熱氧化生長,以將溝槽中硅襯底表面高度以上的外延層全部氧化為二氧化硅層,再刻蝕去除阻止層和二氧化硅層,既可以去除高于襯底表面的外延層又不會損傷到零層光刻標(biāo)記,如此,即可保證不會影響光刻對位,又可取得較佳的平坦化效果,避免外延層相對于硅襯底存在凸起使后道的柵氧、多晶工藝等形成臺階,有利于提高器件的耐壓等性能。
聲明:
“溝槽器件的制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)