本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種波導(dǎo)的刻蝕方法,該方法包括:提供表面具有波導(dǎo)材料層的半導(dǎo)體襯底;波導(dǎo)材料層基于化學(xué)氣相沉積技術(shù)得到;采用光刻工藝在波導(dǎo)材料層表面形成圖形化的掩膜層;掩膜層用于確定波導(dǎo)材料層的待刻蝕面;基于掩膜層,采用干法刻蝕工藝刻蝕波導(dǎo)材料層的待刻蝕面,以形成波導(dǎo);其中,在刻蝕波導(dǎo)材料層的待刻蝕面的過(guò)程中,通過(guò)實(shí)時(shí)測(cè)量波導(dǎo)材料層的刻蝕深度和波導(dǎo)材料層剩余的襯底厚度,來(lái)確定刻蝕終點(diǎn)。如此,可以提高波導(dǎo)的刻蝕精度,減少刻蝕所得波導(dǎo)深度的尺寸偏差,并提高波導(dǎo)的性能。
聲明:
“波導(dǎo)的刻蝕方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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