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      p型大面積SnTe納米薄膜光電材料及其制備方法

      962   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
      2023-03-19 08:57:02
      p型大面積SnTe納米薄膜光電材料及其制備方法,涉及探測(cè)器用光電薄膜制備領(lǐng)域,尤其涉及一種p型SnTe納米薄膜光電材料及其制備方法。本發(fā)明的方法通過使用SnTe單靶,利用射頻磁控濺射方法,采用較低的靶材功率、無需升高襯底溫度、無需后退火處理即可得到已經(jīng)晶化的、符合化學(xué)計(jì)量比的p型二元化合物SnTe納米薄膜材料。本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)單、有效、低能耗,成膜均勻、連續(xù),所得薄膜與基底的粘附性好,并實(shí)現(xiàn)了SnTe納米薄膜光電材料的大面積制備。
      聲明:
      “p型大面積SnTe納米薄膜光電材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
      我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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