p型大面積SnTe納米薄膜光電材料及其制備方法,涉及探測(cè)器用光電薄膜制備領(lǐng)域,尤其涉及一種p型SnTe納米薄膜光電材料及其制備方法。本發(fā)明的方法通過使用SnTe單靶,利用射頻磁控濺射方法,采用較低的靶材功率、無需升高襯底溫度、無需后退火處理即可得到已經(jīng)晶化的、符合化學(xué)計(jì)量比的p型二元化合物SnTe納米薄膜材料。本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)單、有效、低能耗,成膜均勻、連續(xù),所得薄膜與基底的粘附性好,并實(shí)現(xiàn)了SnTe納米薄膜光電材料的大面積制備。
聲明:
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