本發(fā)明公開了GaSe/MoS
2異質結的制備方法,屬于光電器件的技術領域。本發(fā)明要解決現(xiàn)有制備GaSe/MoS
2異質結存在MoS
2納米片形狀不規(guī)則而且層數(shù)不可控、難以精確控制的技術問題。本發(fā)明采用化學氣相沉積法得到單層MoS
2,然后采用PDMS作為轉移的媒介利用轉移平臺將機械剝離的GaSe與MoS
2結合獲得GaSe/MoS
2異質結。本發(fā)明制備的GaSe/MoS
2異質結是具有很好的光電性能,是許多光電器件的核心組件,比如紫外光電探測器等。
聲明:
“GaSe/MoS2異質結的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)