本發(fā)明公開了一種基于二維碲化鎵材料場效應(yīng)管的真空退火方法,用于解決現(xiàn)有方法制備的基于二維GaTe材料場效應(yīng)管的遷移率低的技術(shù)問題。技術(shù)方案是在現(xiàn)有二維GaTe場效應(yīng)管構(gòu)筑工藝的基礎(chǔ)上,引入高真空退火過程(10?5Pa)。由于在高真空環(huán)境下氣體分子濃度極低,促使吸附在溝道材料表面以及溝道材料與金屬電極界面處的氧氣分子、水分子向環(huán)境中擴散,有效阻止了化學(xué)吸附導(dǎo)致的溝道材料本征物性的退化以及表面吸附分子對載流子的散射,有效地提高了二維GaTe場效應(yīng)管的遷移率。經(jīng)測試,本發(fā)明制備的基于二維GaTe材料場效應(yīng)管的遷移率由背景技術(shù)的0.2cm2V?1s?1提高至3.4?4.5cm2V?1s?1。
聲明:
“基于二維碲化鎵材料場效應(yīng)管的真空退火方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)