本發(fā)明涉及一種脈沖激光沉積制備Co3O4薄膜電極材料的方法及其應(yīng)用。在約30Pa的氧氣氣氛中利用脈沖激光燒蝕純度大于等于99.9%金屬鈷靶材,在Mo基片上濺射沉積制備Co3O4薄膜電極材料,基片溫度為250℃。此法制得的Co3O4薄膜
電化學(xué)性能測(cè)試結(jié)果表明此電極材料具有良好的倍率特性和循環(huán)性能,可用于超級(jí)電容器電極材料,具有較好的應(yīng)用前景。
聲明:
“脈沖激光沉積制備四氧化三鈷薄膜電極材料的方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)