本發(fā)明公開了一種無損、快速、準(zhǔn)確表征ta-C膜鍵態(tài)結(jié)構(gòu)的方法。首先,在石英或硅襯底上制備ta-C薄膜,然后利用紫外/可見/近紅外分光光度計(jì)與光譜型橢偏儀分別測(cè)量ta-C薄膜的透射率T與橢偏參數(shù)Ψ和Δ,再以該參數(shù)為擬合參數(shù),通過建立襯底層、ta-C薄膜層以及表面粗糙層的數(shù)學(xué)物理模型求解ta-C薄膜厚度df、折射率nf及消光系數(shù)kf,最后分別確定具有純sp2C、純sp3C鍵態(tài)的材料的光學(xué)常數(shù),在EMA近似下采用Bruggeman算法擬合,即得到ta-C薄膜中化學(xué)鍵sp3/sp2的含量。與現(xiàn)有的表征方法相比,本發(fā)明具有對(duì)樣品要求低、表征過程快速簡(jiǎn)單易行,對(duì)樣品無損壞,以及表征精度與準(zhǔn)確性較高的優(yōu)點(diǎn),具有良好的推廣應(yīng)用價(jià)值。
聲明:
“無損、快速、準(zhǔn)確表征四面體非晶碳薄膜鍵態(tài)結(jié)構(gòu)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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