本發(fā)明屬于納米酞菁銦制備技術(shù)領(lǐng)域,具體公開(kāi)一種新晶體結(jié)構(gòu)酞菁銦納米線及其制備方法,所述酞菁銦納米線的X?射線衍射譜在下列的2θ處具有一個(gè)或多個(gè)特征峰7.338、16.635、21.285、23.253、25.222、27.164、27.769、28.217;所述X?射線衍射譜的測(cè)試條件為:Cu
Kα1,
0.02°/step/1s;其制備方法包括放入酞菁銦源料至水平管式爐中的加熱區(qū)域,在載氣氛圍下,以階梯升溫的方式加熱,升溫速率為1?8℃/min,加熱酞菁銦源料至470?800℃,通過(guò)該載氣,引導(dǎo)該升華的酞菁銦離開(kāi)該加熱區(qū)域,至生長(zhǎng)區(qū)域得到酞菁銦納米線,本發(fā)明得到具有特定結(jié)構(gòu)的InPC均勻性好,平均直徑為100nm以下,納米線束的長(zhǎng)度通常為10mm以上,提升和改善了酞菁銦的物理和化學(xué)性質(zhì),能更好地應(yīng)用于光電導(dǎo)材料、液晶彩色顯示等領(lǐng)域中。
聲明:
“新晶體結(jié)構(gòu)酞菁銦納米線及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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