本實(shí)用新型揭露了一種用于提高晶圓內(nèi)膜厚度均勻性的設(shè)備。這個(gè)設(shè)備是用于集成電路
芯片生產(chǎn)。這個(gè)設(shè)備通過將晶圓朝上方放置,將化學(xué)磨料流到晶圓表面,用一個(gè)或多個(gè)直徑介于10~40毫米之間的貼有研磨墊的研磨頭在晶圓表面進(jìn)行有選擇性的差異化研磨,差異化研磨是通過將研磨頭經(jīng)過的路線分成若干個(gè)區(qū)間,并在不同區(qū)間內(nèi)采用不同壓力和掃描速度來實(shí)現(xiàn)的,區(qū)間的數(shù)目和每個(gè)區(qū)間的大小是根據(jù)處理前測(cè)量的晶圓內(nèi)厚度的實(shí)際分布來決定。這樣可以大幅度改進(jìn)晶圓內(nèi)膜厚度均勻性,從而滿足日益嚴(yán)苛的工藝要求。
聲明:
“用于提高晶圓內(nèi)膜厚度均勻性的設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)