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      p型碳化硅晶體的無損判定

      1028   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
      2023-03-19 08:58:00
      本發(fā)明涉及一種p型碳化硅晶體的無損判定,使用變溫拉曼光譜,對p型碳化硅晶體樣品進行光譜測量,探測光的入射方向為沿碳化硅晶片的(000?1)方向,變溫測量為室溫到800K溫度范圍,溫度間隔為50K。分析對比載流子敏感的A1縱向光學(xué)模,根據(jù)其強度及峰位的變化,可以判斷樣品是否為p型摻雜。有益效果是采用基于光譜分析法,對p型碳化硅晶體的載流子濃度進行檢測和分析,無需像霍爾測量一樣的鍍電極,對待測樣品無損傷,檢測過程可實現(xiàn)自動化和程序控制,可對出廠產(chǎn)品進行全面檢驗,也可應(yīng)用于目前市場存在的2、3、4、6英寸完整晶圓產(chǎn)品檢驗。
      聲明:
      “p型碳化硅晶體的無損判定” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
      我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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