本申請(qǐng)適用于無損檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種同面陣列電容傳感器成像方法,上述同面陣列電容傳感器成像方法包括:建立電容傳感器和待測(cè)物體的三維模型,在三維模型中確定求解區(qū)域,并將求解區(qū)域劃分成有限個(gè)求解單元;分別對(duì)電容傳感器上的每組電極施加循環(huán)的點(diǎn)電壓激勵(lì)信號(hào),并計(jì)算求解區(qū)域的原始敏感場(chǎng);獲取每個(gè)求解單元的中心坐標(biāo)和所有電極對(duì)的相對(duì)點(diǎn)坐標(biāo),并根據(jù)求解單元的中心坐標(biāo)和電極對(duì)的相對(duì)點(diǎn)坐標(biāo)確定抗噪聲算子;根據(jù)原始敏感場(chǎng)和抗噪聲算子確定優(yōu)化敏感場(chǎng);根據(jù)優(yōu)化敏感場(chǎng)確定介電常數(shù)分布矩陣,并以介電常數(shù)分布矩陣為灰度值進(jìn)行成像。上述方法可以解決同面陣列電容傳感器成像時(shí)噪聲影響成像效果的問題。
聲明:
“同面陣列電容傳感器成像方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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