本發(fā)明屬于光存儲發(fā)光材料,特別涉及可用來探測醫(yī)療x線診斷影像,工業(yè)無損探傷的聚合物表面包覆
稀土、鎘離子共激活的TaVIn1-xMxSBrF1-yIy∶Rez,Au0.1光存儲發(fā)光材料。本發(fā)明還提供了該及光存儲發(fā)光材料的制備方法。本發(fā)明的新型光存儲發(fā)光材料,所匹配的波長段為650納米-1000納米之間的一個可調(diào)節(jié)寬帶,適合這一波段所有的半導(dǎo)體激光器作為其匹配的激勵光源。大大提高了利用該樣品涂覆制成的x線影像板的使用方便性,增加了選擇匹配激勵光源的彈性范圍。特別是通過聚合物表面包覆進一步提高了其發(fā)光性能。
聲明:
“TaVIn1-xMxSBrF1-yIy∶Rez, Au0.1光存儲發(fā)光材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)