本實(shí)用新型公開了一種用于碲鎘汞器件增透膜層生長(zhǎng)的裝置,所述裝置包括:靶材,安裝在增透膜層生長(zhǎng)腔室的底部,并通過匹配箱與射頻電源連接;樣品托,安裝在增透膜層生長(zhǎng)腔室的頂部,所述樣品托上設(shè)置有具有樣品槽的內(nèi)嵌式樣品盤,所述樣品槽外部設(shè)置有壓片,所述壓片中間設(shè)置有孔,孔的形狀、大小與碲鎘汞器件需要鍍膜的區(qū)域一致,且所述壓片上的孔與所述靶材上下對(duì)正。本實(shí)用新型通過上述裝置對(duì)碲鎘汞器件進(jìn)行增透膜層生長(zhǎng),由于設(shè)置有壓片,在需要保護(hù)的讀出電路沒有生長(zhǎng)上增透膜層,保證了器件的電學(xué)連通,并且沒有對(duì)探測(cè)器器件產(chǎn)生附加損傷,達(dá)到了良好的無(wú)損傷生長(zhǎng)目的。
聲明:
“用于碲鎘汞器件增透膜層生長(zhǎng)的裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)