本發(fā)明提供了一種對封裝
芯片進(jìn)行測試及失效分析的方法,對封裝芯片靠近金球的一面進(jìn)行第一次研磨,至暴露出所述金球,從而可以采用探測板通過金球?qū)λ龇庋b芯片進(jìn)行探針測試;對封裝芯片靠近硅襯底的一面進(jìn)行第二次研磨,至暴露出所述硅襯底,從而可以采用紅外定位的方法確定封裝芯片的失效點,避免了現(xiàn)有技術(shù)中高溫和化學(xué)腐蝕對封裝芯片的影響或破壞,提高對封裝芯片進(jìn)行失效分析的準(zhǔn)確性及效率。
聲明:
“對封裝芯片進(jìn)行測試及失效分析的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)