本發(fā)明涉及一種GOI失效點無損定位方法及GOI失效分析方法,包括步驟1,去除待分析樣品的金屬互連層,獲取具有裸露salicide層的預(yù)處理待分析樣品;步驟2,基于PVC法,采用電子束照射所述預(yù)處理待分析樣品的salicide層,并觀察其是否發(fā)亮;是,則所述待分析樣品存在GOI失效點,執(zhí)行步驟3;否,則所述待分析樣品不存在GOI失效點,結(jié)束操作;步驟3,將電子束照射時發(fā)亮的salicide層切割成多個相對分離的區(qū)域;步驟4,再次基于PVC法,采用電子束照射所述區(qū)域,并找出所述區(qū)域中發(fā)亮的salicide層;步驟5,循環(huán)執(zhí)行步驟3和步驟4,直至電子束照射時發(fā)亮的salicide層的大小不能進(jìn)行切割時,結(jié)束操作。本發(fā)明實現(xiàn)GOI失效點的高精度定位,且整個定位過程不會導(dǎo)致GOI失效點的進(jìn)一步破壞。
聲明:
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