本發(fā)明涉及半導(dǎo)體可靠性分析領(lǐng)域,尤其涉及一種半導(dǎo)體器件失效分析的方法。本發(fā)明建立一種針對存儲器的失效分析的方法,通過對失效區(qū)域及其周圍區(qū)域的連接通孔進行電壓對比分析并對電壓對比分析結(jié)果剖析,以檢測出快閃存儲器由于冗余替換的存儲區(qū)域缺陷經(jīng)過可靠性測試或?qū)嶋H使用后造成的臨近區(qū)域的失效問題。在可靠性失效中對冗余替換的信息進行分析,為冗余電路的替換造成的可靠性失效問題提供有力的分析依據(jù),并對可靠性失效率的降低提供了分析及改善的方向。
聲明:
“半導(dǎo)體器件失效分析的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)